[发明专利]具有硅锗掺杂区的半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种具有硅锗掺杂区的半导体器件的制作方法，通过在栅极顶面形成刻蚀阻挡层、在栅极侧壁形成栅极侧墙步骤和在栅极及半导体衬底上覆盖牺牲阻挡层的步骤之间，形成一层位于栅极侧墙侧壁外的保护氧化层，未遮挡栅极顶面的刻蚀阻挡层，以在刻蚀去除牺牲阻挡层时能够一并去除位于栅极顶面的刻蚀阻挡层，同时保护氧化层有效避免刻蚀对栅极侧墙的损伤，从而节约去除牺牲阻挡层的工艺步骤，并提高了半导体器件的性能。

主权项

一种具有硅锗掺杂区的半导体器件的制作方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；在所述NMOS区域和PMOS区域上各形成至少一个栅极，所述栅极的顶面上形成有刻蚀阻挡层；在所述栅极侧壁上依次形成栅极侧墙和保护氧化层；在所述栅极及半导体衬底上覆盖牺牲阻挡层；利用光刻胶遮挡所述NMOS区域，并在所述PMOS区域的栅极旁的半导体衬底中刻蚀形成硅锗凹槽；去除所述光刻胶，并在所述硅锗凹槽中填充硅锗化合物，形成硅锗掺杂区；去除所述牺牲阻挡层，一并去除所述刻蚀阻挡层；以及去除所述保护氧化层。