[发明专利]一种集成电路金属互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210046720.2 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102593097A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 魏芹芹;曹宇;崔晓锐;尹金泽;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路金属互连结构及其制备方法，本发明利用石墨烯的碳原子是按六边形晶格整齐排布而成的碳单质，将石墨烯用做集成电路铜互连中的扩散阻挡层。其中石墨烯的所有sp2杂化的碳原子均饱和成键，结构非常稳定，从而使得石墨烯扩散阻挡层具有优良的热稳定性和化学稳定性，可以有效阻止铜原子向硅和绝缘介质中扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 金属 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路金属互连结构，其特征在于，包括上、下层金属连线以及连接上下层金属连线的通孔和上层金属连线的沟槽，在所述通孔的底部和侧壁以及所述上层金属连线沟槽的底部和侧壁沉积扩散阻挡层和金属种籽层，其中所述扩散阻挡层为单层，双层或多层石墨烯。
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