[发明专利]一种基于DDR SDRAM的栈式数据缓存装置及其方法有效
| 申请号： | 201210046913.8 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102637148A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王展;曹政;陈飞;王凯;安学军;孙凝晖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院计算技术研究所 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 100080 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种基于DDR SDRAM的栈式数据缓存装置及其方法，其中该装置包括：输入数据缓存模块，用于为写入DDR SDRAM的数据提供缓存；DDR SDRAM存储读写控制模块，连接所述输入数据缓存模块，用于对DDR SDRAM进行控制，向用户呈现以页面为单位，按照栈的方式进行数据的读写；DDR数据通路模块，连接所述DDR SDRAM存储读写控制模块，用于根据所述DDR SDRAM存储读写控制模块的读写控制，实现单边沿数据和双边沿数据之间的转换。本发明实现了高速数据缓存，并向用户呈现以页面为单位的栈式数据管理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ddr sdram 数据 缓存 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种基于DDR SDRAM的栈式数据缓存装置，其特征在于，包括：输入数据缓存模块，用于为写入DDR SDRAM的数据提供缓存；DDR SDRAM存储读写控制模块，连接所述输入数据缓存模块，用于对DDR SDRAM进行控制，向用户呈现以页面为单位，按照栈的方式进行数据的读写；DDR数据通路模块，连接所述DDR SDRAM存储读写控制模块，用于根据所述DDR SDRAM存储读写控制模块的读写控制，实现单边沿数据和双边沿数据之间的转换。
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