[发明专利]一种通过改变沟道应力提高SONOS器件工作速度的方法无效
| 申请号： | 201210047353.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543887A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黄奕仙;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过改变沟道应力提高SONOS器件工作速度的方法，包括以下步骤：步骤1：在完成源漏端注入的SONOS器件的表面淀积一层氮化硅层；步骤2：改变SONOS器件的沟道中的应力；步骤3：除去SONOS器件表面上覆盖的氮化硅层。本发明提供的改变SONOS器件内沟道应力的方法，利用沟道应力工程在SONOS源漏注入完成后淀积一层具有高的张应力的氮化硅层，通过应力记忆使SONOS单元沟道产生张应力，使硅的能带发生分裂，分裂的结果导致沿沟道方向的电子有效质量减小，同时电子的能谷见散射概率也降低，使SONOS单元晶体管的电子迁移率显著提高，从而提高沟道电流并改善热电子注入机制的SONOS编程效率及速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 改变 沟道 应力 提高 sonos 器件 工作 速度 方法 | ||
【主权项】：
一种通过改变沟道应力提高SONOS器件工作速度的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在完成源漏端注入的SONOS器件的表面淀积一层氮化硅层；步骤2：改变SONOS器件的沟道中的应力；步骤3：除去SONOS器件表面上覆盖的氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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