[发明专利]一种浮体效应存储单元的制备方法无效
| 申请号： | 201210047354.2 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543759A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种浮体效应存储单元的制备方法，包括对储存器单元进行的阈值电压元素注入工艺，所述阈值电压元素注入工艺包括正向注入和反向注入，所述正向注入的元素的最外层得失电荷数与反向注入的元素相反，所述正向注入和反向注入的元素注入所述浮体效应存储单元的器件沟道中。本发明提供的浮体效应存储单元的制备方法，在保持总注入剂量不变的情况下，增强载流子与杂质散射中心之间的碰撞电离率，从而提高了浮体效应存储单元的衬底电流，提高了浮体效应存储单元的写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 效应 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浮体效应存储单元的制备方法，包括对储存器单元进行的阈值电压元素注入工艺，其特征在于，所述阈值电压元素注入工艺包括正向注入和反向注入，所述正向注入的元素的最外层得失电荷数与反向注入的元素相反，所述正向注入的元素剂量与反向注入的元素剂量不相等，所述正向注入的元素的剂量与反向注入的元素的剂量的差额为所述浮体效应存储单元的阈值电压所需的元素剂量，所述正向注入和反向注入的元素注入所述浮体效应存储单元的器件沟道中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
