[发明专利]一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法有效
| 申请号： | 201210047390.9 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102593003A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其中，包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；对源漏极上方的侧墙薄膜进行与竖直方向形成一定角度的离子注入；对侧墙薄膜进行刻蚀，在半导体器件的栅极上形成侧墙，调节侧墙刻蚀菜单以使得刻蚀后的侧墙源极的宽度减小，漏极的宽度增大；进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在保持沟道有效长度不变的情况下，降低了漏端的纵向电场强度，从而减小了半导体器件栅致漏极泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 半导体器件 诱导 泄漏 方法 | ||
【主权项】：
一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；对源漏极上方的侧墙薄膜从朝向于源极的入射点进行与竖直方向形成一定角度的离子注入；对侧墙薄膜进行刻蚀，在半导体器件的栅极上形成侧墙，调节侧墙刻蚀菜单以使得刻蚀后的侧墙源极的宽度减小，漏极的宽度增大；进行源漏重掺杂以及退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
