[发明专利]沟渠式金氧半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟渠式金氧半导体结构，包含基材、外延层、沟渠、栅极绝缘结构、沟渠式栅极、保护环、以及位于此保护环中的强化结构。基材具有第一导电型、第一面、以及相对第一面的第二面。外延层具有第一导电型并位于第一面上。沟渠位于外延层中。栅极绝缘结构覆盖沟渠的内表面。沟渠式栅极位于沟渠中并具有第一导电型。保护环具有第二导电型并位于外延层中。强化结构具有电性绝缘材料并位于此保护环之中。

主权项

一种沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，包括：具有一第一导电型的一基材，并具有一第一面以及相对所述第一面的一第二面；一外延层，具有所述第一导电型并位于所述第一面上；一沟渠，位于所述外延层中；一栅极绝缘结构，覆盖所述沟渠的一内表面；一沟渠式闸极，位于所述沟渠中、具有所述第一导电型以及一第一深度；具有所述第一导电型的一源极，位于所述外延层中并邻近所述栅极；具有一第二导电型的一保护环，位于所述外延层中并邻近所述源极；具有一第二深度的一强化结构，具有一电绝缘材料并位于所述保护环之中；以及位于所述第二面的一漏极。