[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201210048186.9 申请日: 2012-02-24
公开(公告)号: CN102651381B 公开(公告)日: 2016-10-19
发明(设计)人: 国清辰也 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体器件,其具有可以更可靠地防止像素间串扰的固态图像传感器。该器件包括:具有主表面的半导体衬底;第一导电类型杂质层,定位在所述衬底的主表面之上;光电换能器,包括在所述第一导电类型杂质层之上彼此接合的第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域;以及晶体管,配置包括光电换能器的单位像素并且电耦合到光电换能器。在平面图中,光电换能器周围的区域的至少一部分包含空气间隙并且还具有用于使一个光电换能器和与其相邻的另一个光电换能器彼此电绝缘的隔离绝缘层。隔离绝缘层抵靠在第一导电类型杂质层的顶表面上。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:具有主表面的半导体衬底;第一导电类型杂质层,定位在所述半导体衬底的所述主表面之上;光电换能器,包括第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域,所述第一导电类型杂质区域和所述第二导电类型杂质区域在所述第一导电类型杂质层之上彼此接合;以及晶体管,配置包括所述光电换能器的单位像素并且电耦合到所述光电换能器,其中,在平面图中,所述光电换能器周围的区域的至少一部分包含空气间隙并且具有用于使一个光电换能器和与所述一个光电换能器相邻的另一个光电换能器彼此电绝缘的隔离绝缘层,以及其中所述隔离绝缘层抵靠在所述第一导电类型杂质层的顶表面上,其中,多个单位像素被布置成矩阵图案,其中,所述晶体管包括形成在包括作为光电换能器的第一杂质区域和作为杂质扩散层的第二杂质区域的第一有源区域中的第一晶体管以及包括在所述单位像素中的第二晶体管,所述第二晶体管电耦合到所述第一晶体管,并且形成在包括作为杂质扩散层的杂质区域的第二有源区中,以及其中包括在多个单位像素中的一对相邻单位像素的一个单位像素中的第一晶体管的所述第一有源区域与包括在所述一对单位像素的另一单位像素中的第一晶体管的所述第一有源区域之间的最短距离比所述第一晶体管的第一有源区域和在平面图中与所述第一晶体管相邻的所述第二晶体管的所述第二有源区域之间的最短距离短。
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