[发明专利]扇出晶圆级半导体芯片三维堆叠封装结构及工艺

摘要

一种扇出晶圆级半导体芯片三维堆叠封装结构，包括数个扇出晶圆级半导体芯片封装体，及封装体之间的凸点阵列及高分子保护材料，其特征在于所述的扇出晶圆级半导体芯片封装体的第一半导体芯片背面及第二半导体芯片背面由贴片材料键合一起，通过模塑料密封成一个整体，在封装体的模塑料上设有垂直通孔并填充导电材料，在模塑料密封体的上下表面分别制作再分布层，在再分布层上设有凸点，通过再分布层的导电金属层连接半导体芯片、通孔中的导电材料以及凸点，实现各半导体芯片之间的电互联，通过堆叠工艺将数个扇出晶圆级半导体芯片封装体进行堆叠。本发明的优点是能有效提高三维封装的密度，减小封装体的厚度，且工艺流程简单，成本低，可靠性高。

主权项

一种扇出晶圆级半导体芯片三维堆叠封装结构，包括数个扇出晶圆级半导体芯片封装体，多个封装体之间的凸点阵列及高分子保护材料，每个扇出晶圆级半导体芯片封装体包括数个半导体芯片、载片、贴片材料、模塑料、数个再分布层、通孔、填充导电材料、凸点，其特征在于所述的扇出晶圆级半导体芯片封装体的第一半导体芯片背面及第二半导体芯片背面通过键合工艺经由贴片材料键合一起，并通过模塑料密封成一个整体，第一半导体芯片正面的有源面及第二半导体芯片正面的有源面暴露在模塑料之外，并与模塑料的上下表面在同一平面上，在半导体芯片区域之外的模塑料上制作垂直通孔，并在通孔内填充导电材料，在模塑料密封体的上下表面分别制作第一再分布层与第二再分布层，分别在第一再分布层与第二再分布层上制作凸点，通过再分布层的导电金属层连接第一半导体芯片、第二半导体芯片、通孔中的导电材料以及凸点，实现第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的电互联，通过堆叠工艺将多个扇出晶圆级半导体芯片封装体进行堆叠，在多个扇出晶圆级半导体芯片封装体之间填充高分子胶，保护凸点阵列，通过凸点阵列及通孔内导电材料实现不同扇出晶圆级半导体芯片封装体之间的电互连。