[发明专利]Li2In2GeSe6化合物、Li2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途有效
| 申请号： | 201210048489.0 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103288058A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 姚吉勇;尹文龙;冯凯;郝文钰;傅佩珍;吴以成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 杨小蓉;杨青 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及Li2In2GeSe6化合物、Li2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途；该Li2In2GeSe6化合物采用固相反应制备；Li2In2GeSe6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该Li2In2GeSe6非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得Li2In2GeSe6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该Li2In2GeSe6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。 | ||
| 搜索关键词： | li sub in gese 化合物 非线性 光学 晶体 制法 用途 | ||
【主权项】：
一种化学式为Li2In2GeSe6的化合物。
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