[发明专利]用于MEMS器件的电旁路结构有效
| 申请号： | 201210048824.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102701136A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉明;王鸿森;陈相甫;李德玺;亚历山大·卡尔尼茨基;戴文川;张贵松;蔡易恒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mems 器件 旁路 结构 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体层，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的部分的绝缘体层中，其中，所述电旁路结构与所述第二衬底中的所述MEMS器件和所述第一衬底中的任何器件电隔离。
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