[发明专利]一种具有P型埋层结构的槽栅二极管

摘要

一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N+衬底、背面的金属化阴极和正面的N-漂移区；N-漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和栅氧化层；N-漂移区顶部两侧分别具有一个N型重掺杂区，两N型重掺杂区之间具有一个P型重掺杂区；P型重掺杂区正下方具有两个以上相互间隔、均匀分布的条形P型埋层区；P型埋层区和P型重掺杂区之间具有若干间隔分布的P型柱区。P型埋层区、N型重掺杂区、栅氧层三者之间形成载流子积累区A，相邻两个P型埋层区之间的区域形成电子通路B。本发明通过引入一个P型埋层区，使得器件在不影响反向击穿电压和反向泄露电流的情况下，具有更小的导通压降、更短的反向恢复时间和极低的反向恢复峰值电流。

主权项

一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，其结构包括N+衬底(2)，位于N+衬底(2)背面的金属化阴极(1)，位于N+衬底(2)正面的N‑漂移区(3)和位于整个二极管顶层的金属化阳极(9)；在N‑漂移区(3)的顶部两侧之外分别具有一个槽型栅电极(5)，两个槽型栅电极(5)与N‑漂移区(3)之间分别通过各自的二氧化硅栅氧化层(4)相隔离；在N漂移区(3)的顶部两侧分别具有一个条形N型重掺杂区(7)，两个条形N型重掺杂区(7)之间具有一个条形P型重掺杂区(8)；在条形P型重掺杂区(8)下方、且位于两个二氧化硅栅氧化层(4)中间区域的N‑漂移区(3)中具有至少两个以上相互间隔、且均匀分布的条形P型埋层区(6)；在条形P型埋层区(6)和条形P型重掺杂区(8)之间具有若干间隔分布、且与条形P型埋层区(6)和条形P型重掺杂区(8)分别相连的P型柱区(10)；金属化阳极(9)覆盖于两个条形N型重掺杂区(7)、条形P型重掺杂区(8)和两个槽型栅电极(5)表面。