[发明专利]贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件有效
申请号: | 201210050323.2 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN102653389B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 白木美穗;竹内淳一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B05B1/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件。在该贯通孔形成方法中,具备对于具有第一基板面、以及作为所述第一基板面的背面的第二基板面的基板,在所述第一基板面上形成多个小孔的工序;对所述小孔与相邻的其它所述小孔之间的隔壁、以及所述小孔的底部进行热氧化而形成热氧化膜的工序;以及将所述热氧化膜除去的工序。 | ||
搜索关键词: | 贯通 形成 方法 喷嘴 以及 mems 器件 | ||
【主权项】:
一种贯通孔形成方法,其特征在于,具备:第一孔形成工序,在该第一孔形成工序中,对于具有第一基板面、以及与该第一基板面对置的第二基板面的基板,在所述第一基板面上利用蚀刻刻成小孔、并将多个所述小孔连接而形成所述第一孔;热氧化膜形成工序,在该热氧化膜形成工序中,对作为所述小孔与所述小孔之间的隔壁的所述基板、以及作为所述小孔的底部的所述基板进行热氧化,并在所述基板上形成热氧化膜;以及除去工序,在该除去工序中,将热氧化后的所述隔壁和所述底部、以及在所述基板上形成的热氧化膜除去,所述除去工序是将所述基板浸渍于含有氢氟酸的水溶液中而形成贯通孔的工序,所述热氧化膜形成工序为使构成所述隔壁和所述底部的硅全部氧化的工序。
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