[发明专利]一种阻抗匹配元件有效

专利信息
申请号: 201210051008.1 申请日: 2012-02-29
公开(公告)号: CN103296448B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 刘若鹏;季春霖;岳玉涛;尹小明;李双双 申请(专利权)人: 深圳光启高等理工研究院
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;H01Q15/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种阻抗匹配元件,应用于超材料功能层,所述阻抗匹配元件包括第一至第M层匹配超材料片层,每一匹配超材料片层包括基材以及周期排布于所述基材上的人造微结构,所述第一至第M层匹配超材料片层中第i层匹配超材料片层上,以其中心点为圆心,半径为r处的折射率为ni(r)=nmini/M*nmain1-iM(r);]]>其中,nmin为第一至第M层匹配超材料片层所具有的相同的最小折射率值,nmain(r)为所述超材料功能层的折射率分布。本发明利用超材料原理设置多层匹配超材料片层,使得超材料在沿着电磁波入射方向的折射率渐变,减小折射率突变,从而减小电磁波被反射带来的增益损失。
搜索关键词: 一种 阻抗匹配 元件
【主权项】:
一种阻抗匹配元件,应用于超材料功能层,其特征在于:所述阻抗匹配元件包括第一至第M层匹配超材料片层,每一匹配超材料片层包括基材以及周期排布于所述基材上的人造微结构,所述第一至第M层匹配超材料片层中第i层匹配超材料片层上,以其中心点为圆心,半径为r处的折射率为:ni(r)=nmini/M*nmain1-iM(r);]]>其中,nmin为第一至第M层匹配超材料片层所具有的相同的最小折射率值,所述第一至第M层匹配超材料片层沿着电磁波的入射方向依次排布,且第M层匹配超材料片层靠近所述超材料功能层,nmain(r)为所述超材料功能层的折射率分布,所述nmain(r)为以超材料功能层中心点为圆心,超材料功能层上半径为r处的折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启高等理工研究院,未经深圳光启高等理工研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210051008.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top