[发明专利]一种阻抗匹配元件有效
申请号: | 201210051008.1 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103296448B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;季春霖;岳玉涛;尹小明;李双双 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;H01Q15/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种阻抗匹配元件,应用于超材料功能层,所述阻抗匹配元件包括第一至第M层匹配超材料片层,每一匹配超材料片层包括基材以及周期排布于所述基材上的人造微结构,所述第一至第M层匹配超材料片层中第i层匹配超材料片层上,以其中心点为圆心,半径为r处的折射率为ni(r)=nmini/M*nmain1-iM(r);]]>其中,nmin为第一至第M层匹配超材料片层所具有的相同的最小折射率值,nmain(r)为所述超材料功能层的折射率分布。本发明利用超材料原理设置多层匹配超材料片层,使得超材料在沿着电磁波入射方向的折射率渐变,减小折射率突变,从而减小电磁波被反射带来的增益损失。 | ||
搜索关键词: | 一种 阻抗匹配 元件 | ||
【主权项】:
一种阻抗匹配元件,应用于超材料功能层,其特征在于:所述阻抗匹配元件包括第一至第M层匹配超材料片层,每一匹配超材料片层包括基材以及周期排布于所述基材上的人造微结构,所述第一至第M层匹配超材料片层中第i层匹配超材料片层上,以其中心点为圆心,半径为r处的折射率为:ni(r)=nmini/M*nmain1-iM(r);]]>其中,nmin为第一至第M层匹配超材料片层所具有的相同的最小折射率值,所述第一至第M层匹配超材料片层沿着电磁波的入射方向依次排布,且第M层匹配超材料片层靠近所述超材料功能层,nmain(r)为所述超材料功能层的折射率分布,所述nmain(r)为以超材料功能层中心点为圆心,超材料功能层上半径为r处的折射率。
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