[发明专利]一种负磁导率超材料有效
| 申请号： | 201210051068.3 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593599A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;郭洁;余铨强 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层，所述微结构层上周期性的阵列着微结构，所述微结构由四根长度相等的螺旋金属线等间距嵌套而成，所述微结构绕其旋转对称中心旋转90°、180°、270°后分别与初始微结构重合。在实现负磁导率的前提下，采用本发明可以有效降低超材料的谐振频率，满足一些特殊条件下对负磁导率值的要求，制成的超材料符合各向同性，本发明对于超材料产业的发展具有重要意义，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 材料 | ||
【主权项】：
一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层，其特征在于，所述微结构层上周期性的阵列着微结构，所述微结构由四根长度相等的螺旋金属线等间距嵌套而成，所述微结构绕其旋转对称中心旋转90°、180°、270°后分别与初始微结构重合。
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