[发明专利]一种基于三维硅微结构的MEMS电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210051164.8 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102568817A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 丑修建;熊继军;陈旭远;张文栋;穆继亮;郭茂香;朱平 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/002;H01G4/005;H01G4/224;B81C1/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及电容器及其制造技术，具体是一种基于三维硅微结构的MEMS电容器及其制造方法。本发明解决了现有MEMS微型电容器抗过载能力低、容量体积比小、环境适应性差、以及可靠性差的问题。一种基于三维硅微结构的MEMS电容器包括硅基底；硅基底上表面加工有大比表面积三维深槽结构；硅基底上表面和大比表面积三维深槽结构内腔表面形成有电学绝缘层；电学绝缘层上表面形成有下电极层；下电极层上表面形成有电介质层；电介质层上表面形成有上电极层；下电极层部分曝露于上电极层外。本发明是一种全固态静电式MEMS电容器，其完全满足引信电源、MEMS微能源、交通运输等领域中的微型化、智能化、集成化的发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 三维 微结构 mems 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于三维硅微结构的MEMS电容器，其特征在于：包括硅基底（1）；硅基底（1）上表面加工有大比表面积三维深槽结构（7）；硅基底（1）上表面和大比表面积三维深槽结构（7）内腔表面形成有电学绝缘层（2）；电学绝缘层（2）上表面形成有下电极层（3）；下电极层（3）上表面形成有电介质层（4）；电介质层（4）上表面形成有上电极层（5）；下电极层（3）部分曝露于上电极层（5）外；大比表面积三维深槽结构（7）的微孔隙中填充有填充层（6）。
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