[发明专利]MEMS扩音器有效
| 申请号： | 201210051207.2 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102655627A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | W.帕尔;A.莱德尔;M.容孔茨;A.贝尔 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R27/00 | 分类号： | H04R27/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及MEMS扩音器。提供了一种由于减小的DC漏电流而具有改善的噪声性能的MEMS扩音器。为此，保持MEMS扩音器的信号线与其它传导结构之间的最小距离。此外，提供了将信号线的至少一部分围起来的DC保护结构。 | ||
| 搜索关键词： | mems 扩音器 | ||
【主权项】：
一种MEMS扩音器，—包括具有信号输出端的MEMS换能器、具有信号输入端的IC芯片、衬底、信号线和传导结构，其中—MEMS换能器和IC芯片被布置在衬底上，—信号线将MEMS换能器的信号输出端与IC芯片的信号输入端电连接，—由IC芯片经由信号线向MEMS换能器提供DC偏置电压，—传导结构被电连接至不同于DC偏置电压的DC电位，以及—信号线与传导结构之间的最小横向距离被保持在至少200μm。
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