[发明专利]一种降低LED外延翘曲应力的方法无效
| 申请号： | 201210051923.0 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296151A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 彭昀鹏;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，在蓝宝石衬底上外延一GaN缓冲层，而后在GaN缓冲层上三维生长GaN层，形成具有岛状表面的GaN外延片；降温后，在岛状表面的GaN外延片上外延包括GaN层和Al1-xGaxN层的双层薄膜，然后多次重复外延双层薄膜，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格；在超晶格上二维生长GaN层，完成在蓝宝石衬底上GaN基础层的制备。本发明采用超晶格插入层结构，调节释放二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 led 外延 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延一GaN缓冲层，而后在所述GaN缓冲层上再进行三维生长GaN层，形成具有岛状表面的GaN外延片；2)在所述岛状表面的GaN外延片上外延双层薄膜，所述双层薄膜包括GaN层和Al1‑xGaxN层，然后多次重复外延所述双层薄膜，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格；3)在所述超晶格上进行二维生长GaN层，以完成在所述蓝宝石衬底上GaN基础层的制备。
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