[发明专利]苛刻环境压力传感器无效
| 申请号： | 201210051924.5 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102607759A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | V-G·杜米特鲁;S-D·科斯蒂;M·布勒兹努;B-C·塞尔班 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;卢江 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在苛刻环境中测量压力的传感器。所述传感器可以具有形成在基底上的晶体管。由基底的一部分形成的可以是膜片，该膜片可以由于膜片上的压力改变而弯曲。所述晶体管可以检测膜片的弯曲，并且所述晶体管能够通过非惠斯通差分放大器类型电路指示压力改变的幅度。所述晶体管可以是高电子迁移率晶体管(HEMT)。HEMT可以是Ⅲ族氮化物晶体管。晶片可以被附着至所述膜片以形成密封腔。 | ||
| 搜索关键词： | 苛刻 环境 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，包括：基底；位于所述基底的第一表面上的两个或更多个晶体管；将所述两个或更多个晶体管互连的电路；以及由在所述基底的第二表面上的所述基底的至少一部分形成的膜；以及其中：当施加压力到所述膜时，所述膜具有形状方面的改变；所述两个或更多个晶体管提供所述膜的形状方面的改变的检测；以及所述电路将所述检测转化为所述压力的幅度的指示；以及所述两个或更多个晶体管是高电子迁移率晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司，未经霍尼韦尔国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210051924.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
