[发明专利]一种利用超短脉冲激光制备硅基表面陷光结构的方法

摘要

本发明涉及硅基表面陷光结构，特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足，提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，无需气体或液体作为环境介质，通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。

主权项

一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：① 选用超短脉冲激光器，要求其脉冲宽度小于20 ns、波长在400~1000 nm；② 选用高分子透明贴膜，高分子透明贴膜耐温≧50℃、透光率≧90%、厚度≦1 mm；③ 对硅基样品进行前期清洗；④ 将透明贴膜紧贴于放置在样品台上的硅基样品表面上，调整样品台的位置，使上述激光器发出的激光束经透镜聚焦后的焦点位于硅基样品表面以下100~500 μm处，即硅基样品表面位于激光焦前100~500 μm处；⑤ 调整激光器的输出，控制激光能量为10~500 μJ，扫描速度为0.1~5 mm/s；⑥ 根据选用的激光能量确定激光束的扫描线宽，据此设定激光束的扫描路径，具体为：激光束作单向逐线扫描，通过设定线间距l来控制相邻两线相互交叠，即l大于0并小于激光扫描线宽d，各线重复扫描次数为1~5次；根据已设定的激光束扫描路径控制激光束运动，使激光束垂直于硅基样品表面进行扫描；⑦ 取下硅基样品，揭去表面透明贴膜后对其进行后期清洗。