[发明专利]一种SRAM位线漏电流补偿电路

摘要

一种SRAM位线漏电流补偿电路，作为SRAM电路的辅助电路，包括两个完全相同的补偿电路共同实现对SRAM主电路的辅助补偿。每个补偿电路设有两个输入∕输出端，一个控制信号CON，用于控制位线漏电流补偿电路的工作模式，每个电流补偿电路包括5个PMOS管和6个NMOS管，补偿电路在正常工作状态下通过检测主电路中两根位线上的电位变化率的变化情况，自动让主电路中放电较慢的一端位线信号放电更慢，让主电路中放电较快的一端位线信号放电更快，从而消除SRAM位线上较大漏电流对主电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。

主权项

一种SRAM位线漏电流补偿电路，其特征是，该电路作为SRAM电路的辅助电路，设有两个完全相同的补偿电路，每个补偿电路包括五个PMOS管P1~P5和六个NMOS管N1~N6；PMOS管P1~P5的源端均分别与各自的体端连接并连接电源电压VDD，NMOS管N1~N6的体端均连接电源地VSS，NMOS管N1的源端、NMOS管N2的源端、NMOS管N6的源端均分别与各自的体端连接， PMOS管P1的漏端连接NMOS管N1的漏端，PMOS管P1的栅端与PMOS管P2的栅端及漏端、PMOS管P3的漏端以及NMOS管N3的漏端连接在一起，PMOS管P3的栅端与PMOS管P4的栅端及漏端、PMOS管P5的栅端以及NMOS管N4的漏端连接在一起，PMOS管P5的漏端与NMOS管N1的栅端、NMOS管N2的栅端及漏端以及NMOS管N5的漏端连接在一起，NMOS管N5的源端与NMOS管N6的漏端、NMOS管N3的源端以及NMOS管N4的源端连接在一起，NMOS管N6的栅端与外接控制信号连接；一个补偿电路中的NMOS管N4的栅端及NMOS管N1的漏端分别与另一个补偿电路中的NMOS管N1的漏端及NMOS管N4的栅端连接后，分别与SRAM电路的两根位线连接。