[发明专利]非易失性存储器件、其编程方法、及数据处理系统有效
| 申请号： | 201210052964.1 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103021463A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 具喆熙;金昞宁 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件的编程方法，包括：前置编程验证步骤，用于验证选中的存储器单元的阈值电压；根据经由所述前置编程验证步骤判定的选中的存储器单元的阈值电压而设定选中的存储器单元的位线电压的步骤；将编程电压施加至以所述位线电压设定的选中的存储器单元的步骤；以及后置编程验证，用于验证被施加编程电压的选中的存储器单元的编程状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 数据处理系统 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的编程方法，包括：前置编程验证步骤，所述前置编程验证步骤用于验证选中的存储器单元的阈值电压；根据经由所述前置编程验证步骤判定的所述选中的存储器单元的阈值电压来设定所述选中的存储器单元的位线电压的步骤；将编程电压施加至以所述位线电压设定的所述选中的存储器单元的步骤；以及后置编程验证步骤，所述后置编程验证步骤用于验证被施加所述编程电压的所述选中的存储器单元的编程状态。
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