[发明专利]包含成核促进颗粒的硅晶铸锭及其制造方法在审
申请号: | 201210053083.1 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN103255475A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 倪笙华;萧明恭;林钦山;许松林 | 申请(专利权)人: | 昆山中辰矽晶有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅晶铸锭及其制造方法。所述制造方法利用多个成核促进颗粒,让一硅熔汤中多个硅晶粒在多个成核促进颗粒上成核且沿垂直方向成长,直至硅熔汤全部凝固。每一个成核促进颗粒由一主颗粒以及接合在主颗粒的表面上的多个次颗粒所构成。多个次颗粒的平均粒径小于多个主颗粒的平均粒径。 | ||
搜索关键词: | 包含 成核 促进 颗粒 铸锭 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造硅晶铸锭的方法,其特征在于,包含下列步骤:铺设多个成核促进颗粒在一模内的底部,所述模本身定义一垂直方向,每一个成核促进颗粒由一主颗粒以及由接合在所述主颗粒表面上的多个次颗粒所构成,所述多个次颗粒的平均粒径小于所述多个主颗粒的平均粒径;安装一硅原料至所述模内,且放置在所述多个成核促进颗粒上;加热所述模,直至所述硅原料全部熔化成一硅熔汤;控制所述硅熔汤的至少一热场参数,致使所述硅熔汤中多个硅晶粒在所述多个成核促进颗粒上成核且沿所述垂直方向成长;以及继续控制所述热场参数,让所述多个硅晶粒继续沿所述垂直方向成长,直到硅熔汤全部凝固从而获得硅晶铸锭。
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