[发明专利]一种射频等离子体增强CVD法制备氧化镁纳米带的方法

摘要

一种用射频等离子体增强CVD法制备氧化镁纳米带的方法，以硝酸镁和硝酸镍混合溶液作为前驱物，将此混合液滴在硅、玻璃等衬底上，烘干后置于射频等离子体增强化学气相沉积设备腔内的沉积台上，加热分解，然后被保护气体和氢气在射频作用下形成的高温等离子体还原，形成氧化镁纳米带。本发明的优点是：制备的氧化镁纳米结构包括矩形带状结构、交叉的网状纳米结构和T形结构等，结晶性较好，尤其是网状纳米结构在交叉处的生长晶向发生变化，显示出一定的弹性形变性；该方法工艺简单、易于实施，有利于实现产业化，可广泛应用于电子、催化、陶瓷、电绝缘材料及耐高温材料等领域。

主权项

一种射频等离子体增强CVD法制备氧化镁纳米带的方法，其特征在于步骤如下：1)将Mg(NO3)2·6H2O晶体和Ni(NO3)2·6H2O晶体溶解于无水乙醇中制得混合溶液作为前驱物；2)将上述混合溶液均匀喷洒在衬底上，在50‑100℃温度下烘干后，置于射频等离子体增强化学气相沉积(RF‑PECVD)设备真空室的样品台上；3)关闭真空室并抽真空，当腔内压强小于0.1Pa时，向真空室通入保护气体和氢气，保护气体流量为10‑100mL/min，氢气流量为20‑200mL/min，当压强达到100‑2000Pa时，将样品台在温度为700‑1200℃条件下加热0.5‑2小时，使衬底上的前驱物分解并形成MgO和NiO；4)施加50‑500W的射频功率，在氢等离子体作用下，将NiO还原为Ni纳米金属颗粒，反应时间为0.5‑2小时，即可制得氧化镁纳米带。