[发明专利]栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210054234.5 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103295891A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何永根;陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法，所述栅介质层制作方法包括：利用热生长法在衬底上形成界面层；在界面层上形成高k栅介质层；利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对界面层或高k栅介质层进行表面处理。本发明利用热生长法形成质量佳的界面层之后，利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对界面层或高k栅介质层进行表面处理，以在界面层或高k栅介质层表面形成大量的适于提高高k栅介质层覆盖率的OH键，使高k栅介质层更容易在界面层上成核，提高了界面层与高k栅介质层之间的界面特性。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 制作方法 晶体管 | ||
【主权项】：
一种栅介质层的制作方法，其特征在于，所述方法包括：利用热生长法在衬底上形成材质为氧化硅或氮氧化硅的界面层；在所述界面层上形成高k栅介质层；在界面层的制作步骤之后、高k栅介质层的制作步骤之前，利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对所述界面层进行第一表面处理；或者，在高k栅介质层的制作过程中，利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对所述高k栅介质层进行第二表面处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
