[发明专利]稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用无效
| 申请号： | 201210054997.X | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102603190A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王学锋;杨森林;施毅;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C03C3/32 | 分类号： | C03C3/32;C03C17/22;G02F1/39;H01S3/17 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种稀土掺杂的硫系(卤)薄膜材料，在锗镓基的硫系(卤)薄膜中共同掺杂两种稀土离子，即三价稀土离子铥Tm3+和镝Dy3+；所述的薄膜材料是无定形的；形成近红外多波段发射特征的光学有源薄膜材料；其薄膜材料的化学组成与其玻璃块体靶材基本保持一致，玻璃基础靶材的组成为：GeS2:72mol%；Ga2S3:18mol%；CdI2:10mol%，且Tm3+和Dy3+的掺杂浓度为玻璃基础靶材重量比的1.0±0.2wt%和0.4±0.1wt%。在808nm波长的激光二极管泵浦下可以实现薄膜样品的高带宽发射。本发明所得到的无定形硫系(卤)薄膜材料组分均匀、易控制；材料制备参数易调整。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 掺杂 薄膜 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种稀土掺杂的硫系(卤)薄膜材料，其特征在于在锗镓基的硫系(卤)薄膜中共同掺杂两种稀土离子，即三价稀土离子铥Tm3+和镝Dy3+；所述的薄膜材料是无定形的；形成近红外多波段发射特征的光学有源薄膜材料；其薄膜材料的化学组成与其玻璃块体靶材基本保持一致，玻璃基础靶材的组成为：GeS2: 72 mol%；Ga2S3: 18 mol%；CdI2: 10 mol%，且Tm3+和Dy3+的掺杂浓度为玻璃基础靶材重量比的1.0 ± 0.2wt%和0.4 ± 0.1wt%。
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