[发明专利]垂直磁记录介质有效

专利信息
申请号: 201210055650.7 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102779532B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 穗积康彰 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G11B5/667 分类号: G11B5/667;G11B5/71
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种垂直磁记录介质,其不改变现有的层叠结构就能够提高磁记录层的磁各向异性,从而通过记录信号的热稳定性。一种垂直磁记录介质,是在非磁性基体上至少依次层叠有中间层、第二基底层和磁记录层的垂直记录介质,其特征在于,中间层为Ru或Ru基合金的单一层结构,或者为含有Co和Cr的非磁性合金层和Ru或者Ru基合金的层的层叠结构,该第二基底层包含30at%以上75at%以下的Co、20at%以上60at%以下的Cr和0.1at%以上10at%以下的W,第二基底层具有0.1nm以上1.0nm以下的膜厚。
搜索关键词: 垂直 记录 介质
【主权项】:
一种垂直磁记录介质,其在非磁性基体上依次至少层叠有中间层、第二基底层和磁记录层,该垂直磁记录介质的特征在于:该中间层为由Ru或Ru和选自C、Cu、W、Mo、Cr、Ir、Pt、Re、Rh、Ta、V构成的群中的一种或多种金属构成的Ru基合金构成的单一层结构,或者为含Co和Cr的非磁性合金层与Ru或者Ru基合金的层的层叠结构,该第二基底层由30at%以上75at%以下的Co、20at%以上60at%以下的Cr和0.1at%以上10at%以下的W构成,该第二基底层具有0.5nm以上1.0nm以下的膜厚。
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