[发明专利]衬底处理装置、晶片支架及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210055696.9 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102655107A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 福田正直;佐佐木隆史;山口天和;原大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有不对成膜精度带来不良影响且获得耐高温效果的晶片的层叠构造的衬底处理装置。具有将晶片(14)保持在内周侧的支架底座(110)、和具有保持支架底座(110)的外周侧的支架保持部(HS)的各舟皿柱(31a～31c)，支架底座(110)的外径尺寸比晶片(14)的外径尺寸大，并且支架底座(110)能够从支架保持部(HS)拆下。无需通过焊接等固定支架底座(110)和各舟皿柱(31a～31c)，能够由SiC等形成支架底座(110)及各舟皿柱(31a～31c)，能够容易地实现获得耐高温效果的晶片的层叠构造。另外，由于能够通过支架底座(110)使晶片(14)从各舟皿柱(31a～31c)远离，所以能够抑制对成膜精度带来不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 晶片 支架 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其特征在于，包括：反应容器；气体喷嘴，被设置在所述反应容器内，并向所述反应容器内供给反应气体；舟皿，向所述反应容器送入及从所述反应容器送出，并包含具有支架保持部的多个舟皿柱；晶片支架，被所述支架保持部保持，并在其内周侧保持衬底，所述晶片支架的外径尺寸比所述衬底的外径尺寸大，并且所述晶片支架能从所述支架保持部拆下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
