[发明专利]一种多晶硅硅片多重扩散的制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶片制PN结多重扩散的制造方法，包括：步骤S1恒定源扩散在需要形成P层的表层沉积一定浓度的杂质源；步骤S2升温限定源扩散将沉积的杂质源相多晶片内部扩散，以控制PN结的结深和杂质源浓度梯度分布；步骤S3恒定源扩散在多晶片的P层表层再次沉积一定浓度的杂质源；步骤S4加氧恒定源扩散在温度不变并且继续通源的状态下，增加氧气的通流量，该步骤的目的在于增加多晶片的P层的表面颜色，使得多晶片在后续操作时正反面的区分，并且氧气流通量的增加还能够提高P层的亲水性，从而减小刻蚀边过大；步骤S5重复步骤S2至步骤S4。通过上述步骤能够实现解决多晶片制PN结后所存在的正反面颜色不易区分问题的目的。

主权项

一种多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，包括步骤：1)在730℃至820℃的温度下对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散；2)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行限定源扩散：3)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散；4)在830℃至870℃的温度下对第二次进行恒定源扩散的多晶硅硅片进行增加氧气流量的恒定源扩散；5)重复步骤2)至步骤4)，直至获得符合颜色区分要求的多晶硅硅片。