[发明专利]基于硅基的气密性封装外壳无效

专利信息
申请号: 201210056917.4 申请日: 2012-03-06
公开(公告)号: CN102583218A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 刘胜;汪学方;方靖;吕植成 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于硅基的气密性封装外壳结构,该外壳采用单晶硅作为气密性封装材料,用于对MEMS芯片进行气密性封装。外壳包括管座和盖帽,管座为带有凹槽的单晶硅片,凹槽槽底带有通孔,通孔内镀有导电金属材料,通孔作为TSV信号通道,凹槽内用于放置待封装的MEMS芯片,盖帽为单晶硅片,用于与管座键合。盖帽与管座键合可以采用硅-硅直接键合,或者共晶键合的方式。硅作为一种气密性材料,可以用于气密性封装。本发明不需要高温烧结工艺,并且可以降低封装成本。
搜索关键词: 基于 气密性 封装 外壳
【主权项】:
一种基于硅基的气密性封装外壳,其特征在于,该外壳采用单晶硅作为气密性封装材料,用于对MEMS芯片进行气密性封装。
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