[发明专利]光耦合装置

摘要

本发明提供一种能够在维持抗噪声特性的同时缩小半导体芯片的光耦合装置。具有发光元件、第一和第二光电二极管、第一和第二反相放大器及比较器。第一光电二极管将接收的光信号转换为第一电信号。第一反相放大器具有并联连接的第一反馈电阻和第一运算放大器，其输入端与第一光电二极管的阴极相连，从输出端输出第一信号。第二反相放大器具有并联连接的第二反馈电阻和第二运算放大器，输入端与第二光电二极管的阴极相连，从输出端输出第二信号。比较器接收第一和第二信号，输出比较放大后的信号。第一光电二极管的第一结电容与第一反馈电阻之积及第二光电二极管的第二结电容与第二反馈电阻之积被设定为相同值。第二结电容被设定为小于第一结电容。

主权项

一种光耦合装置，包括：发光元件；第一光电二极管，具有与低电位侧电源相连的阳极和阴极，所述第一光电二极管接收由所述发光元件生成的光信号，并将该光信号转换为第一电信号；第一反相放大器，具有输入输出端、以及并联连接的第一反馈电阻和第一运算放大器，所述输入端与所述第一光电二极管的阴极相连，所述第一反相放大器从所述输出端输出将所述第一电信号反转而得的第一信号；第二光电二极管，具有与所述低电位侧电源相连的阳极和阴极；第二反相放大器，具有输入输出端、以及并联连接的第二反馈电阻和第二运算放大器，且所述第二反相放大器的所述输入端与所述第二光电二极管的阴极相连，所述第二反相放大器从输出端输出第二信号；以及比较器，接收所述第一信号和第二信号，且将所述第二信号作为基准电压，来比较所述第一信号与第二信号，且输出比较放大后的信号；其中，所述第一光电二极管的第一结电容与所述第一反馈电阻之积及所述第二光电二极管的第二结电容与所述第二反馈电阻之积被设定为相同值，且所述第二结电容被设定为小于所述第一结电容。