[发明专利]制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201210057275.X | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102544270A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张逸韵;谢海忠;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法，包括：在外延结构上制备透明导电电极；将外延结构的一侧进行部分刻蚀，形成台面；在透明导电电极上制备上金属电极，在台面上制备下金属电极；减薄、抛光；制备二氧化硅保护层；从制备有二氧化硅保护层的蓝宝石衬底背面进行激光划片，使蓝宝石衬底的背面两侧留下两个V型深槽；超声清洗；腐蚀掉两个V型深槽外侧部分，获得倾斜的蓝宝石侧壁；除去二氧化硅保护层。本发明的制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法获得的发光二极管，其可提高器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 梯形 氮化 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法，包括：步骤1：取一外延结构，该外延结构的最下层为蓝宝石衬底；步骤2：在外延结构上，采用电子束蒸发的方法，制备透明导电电极；步骤3：采用ICP刻蚀的方法，将蒸发有透明导电电极的外延结构的一侧进行部分刻蚀，形成台面；步骤4：在透明导电电极上制备上金属电极，在台面上制备下金属电极；步骤5：将外延结构下层的蓝宝石衬底的背面进行机械减薄、抛光；步骤6：在蓝宝石衬底的背面及外延结构上的台面和透明导电电极上制备二氧化硅保护层；步骤7：采用激光器，从制备有二氧化硅保护层的蓝宝石衬底背面进行激光划片，使蓝宝石衬底的背面两侧留下两个V型深槽；步骤8：将具有V型深槽的外延结构浸润在溶液中，超声清洗，确保V型深槽内无气泡；步骤9：将超声清洗后的外延结构进行腐蚀，腐蚀掉两个V型深槽外侧部分，获得倾斜的蓝宝石侧壁；步骤10：除去蓝宝石衬底背面及外延结构上的台面和透明导电电极上的二氧化硅保护层，完成倒梯形的发光二极管的制备。
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