[发明专利]一种利用阳离子腐蚀法制备多孔单分子薄膜材料的方法无效

专利信息
申请号: 201210057469.X 申请日: 2012-03-07
公开(公告)号: CN102531673A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 刘波;王硕;李银丽;赵慧玲;梁浩 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: C04B41/47 分类号: C04B41/47;B81C1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供一种多孔单分子薄膜材料的制备方法,属于薄膜材料制备领域。其中,该多孔单分子薄膜的制备方法包括:利用Langmuir-Blodgett(LB)技术在基底上制备硬脂酸单分子膜,调整制备LB膜时的表面压以控制薄膜的致密性。将硬脂酸单分子膜浸入到盐溶液中腐蚀获得多孔结构。通过调整浸泡时间,盐溶液浓度,溶液阳离子的价态以及拉膜时的表面压来控制孔的大小和覆盖面积。本发明实施例的多孔单分子薄膜的制备方法,能够制备超薄多孔薄膜,并且保证薄膜的平整性,不引入其它杂质。本发明的技术方案适用于多孔材料的制备中。
搜索关键词: 一种 利用 阳离子 腐蚀 法制 多孔 分子 薄膜 材料 方法
【主权项】:
一种多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括:利用Langmuir‑Blodgett(LB)膜制备方法在基底上制备单分子膜,调整制备LB膜时的表面压以控制薄膜的致密性。将单分子膜浸入到盐溶液中腐蚀,获得多孔结构。通过调整浸泡时间,盐溶液浓度,溶液阳离子的价态以及拉膜时的表面压来控制孔的大小和覆盖面积。
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