[发明专利]一种利用阳离子腐蚀法制备多孔单分子薄膜材料的方法无效
申请号: | 201210057469.X | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN102531673A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 刘波;王硕;李银丽;赵慧玲;梁浩 | 申请(专利权)人: | 河南大学 |
主分类号: | C04B41/47 | 分类号: | C04B41/47;B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 475001*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种多孔单分子薄膜材料的制备方法,属于薄膜材料制备领域。其中,该多孔单分子薄膜的制备方法包括:利用Langmuir-Blodgett(LB)技术在基底上制备硬脂酸单分子膜,调整制备LB膜时的表面压以控制薄膜的致密性。将硬脂酸单分子膜浸入到盐溶液中腐蚀获得多孔结构。通过调整浸泡时间,盐溶液浓度,溶液阳离子的价态以及拉膜时的表面压来控制孔的大小和覆盖面积。本发明实施例的多孔单分子薄膜的制备方法,能够制备超薄多孔薄膜,并且保证薄膜的平整性,不引入其它杂质。本发明的技术方案适用于多孔材料的制备中。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 阳离子 腐蚀 法制 多孔 分子 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括:利用Langmuir‑Blodgett(LB)膜制备方法在基底上制备单分子膜,调整制备LB膜时的表面压以控制薄膜的致密性。将单分子膜浸入到盐溶液中腐蚀,获得多孔结构。通过调整浸泡时间,盐溶液浓度,溶液阳离子的价态以及拉膜时的表面压来控制孔的大小和覆盖面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南大学,未经河南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210057469.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。