[发明专利]用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜有效
| 申请号： | 201210057487.8 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102983105A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 黄仁安;张启新;杨仁盛;林大为;罗仕豪;叶志扬;林慧雯;高荣辉;涂元添;林焕哲;彭治棠;郑培仁;杨宝如;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 栅极 器件 对准 绝缘 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底的上方形成栅极电介质；在所述半导体衬底和所述栅极电介质的上方形成金属栅极结构；在所述金属栅极结构上形成薄电介质膜，所述薄电介质膜包含与所述金属栅极的金属相结合的氮氧化物；以及提供层间电介质(ILD)，位于所述金属栅极结构的各个侧面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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