[发明专利]沉积材料及形成方法有效
| 申请号： | 201210057500.X | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103050376A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张耀文;蔡正原;林杏莲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造半导体器件的系统和方法。一个实施例包括采用原子层沉积(ALD)工艺形成沉积层。ALD工艺可以利用第一前体并持续第一时间周期；第一清除并持续比第一时间周期更长的第二时间周期；第二前体并持续比第一时间周期更长的第三时间周期；以及第二清除并持续比第三时间周期更长的第四时间周期。本发明还公开了沉积材料及形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 材料 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：向沉积腔室引入第一前体并持续第一时间；在引入所述第一前体之后，向所述沉积腔室引入第一清除气体并持续第二时间，其中所述第二时间大于所述第一时间；在引入所述第一清除气体之后，向所述沉积腔室引入第二前体并持续第三时间，其中所述第三时间大于或等于所述第一时间；以及在引入所述第二前体之后向所述沉积腔室引入第二清除气体并持续第四时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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