[发明专利]单体、低聚和聚噻吩并[3,2-b]噻吩

摘要

本发明涉及新型单体、低聚和聚噻吩并[3，2-b]噻吩，涉及它们的用途，作为半导体或电荷传输材料，在光学、电光学或电子器件如液晶显示器、光学膜、用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET)中，以及在集成电路器件如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件，和光致电压和传感器器件中的用途，和包含该新型聚合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。

主权项

1.通式I的聚合物-([A]_a-[B]_b-[C]_c-[D]_d)_n-        I其中A和C彼此独立地是：B和D彼此独立地是-CX¹＝CX²、-C≡C-或任选被一个或多个基团R¹取代的亚芳基或杂亚芳基，R¹和R²彼此独立地选自：任选被一个或多个氟原子取代的C₃-C₂₀烷基，C₃-C₂₀链烯基、C₃-C₂₀炔基、C₃-C₂₀酯、C₃-C₂₀氨基、C₃-C₂₀氟代烷基，X¹和X²彼此独立地是H、F、Cl或CN，a和c彼此独立地是0或1，其中在至少一个基团[(A)_a-(B)_b-(C)_c-(D)_d]中，a和/或c是1，b和d彼此独立地是0、1或2，n是2到5，000的整数，其中基团[(A)_a-(B)_b-(C)_c-(D)_d]可以相同或不同，并且前提条件是该化合物包含至少一个被基团R¹和R²取代的基团A或C，基团R¹和R²各自具有至少3个C原子。