[发明专利]一种具有低导通饱和压降的IGBT及其制造方法有效
| 申请号： | 201210058109.1 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102569373A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有低导通饱和压降的IGBT及其制造方法，其在有源区区内设置第二导电类型层，第二导电类型层通过导电多晶硅及绝缘栅介质层分隔成若干第二导电类型层第一区域及第二导电类型层第二区域；半导体基板的第一主面上覆盖有绝缘介质层；第二导电类型层第一区域内设置对称分布的第一导电类型注入区，第一导电类型注入区与相应的绝缘栅介质层相接触，且第二导电类型层第一区域上方设有发射极接触孔，发射极接触孔贯通绝缘介质层并延伸到第一主面上；发射极接触孔内填充有发射极金属层，且所述发射极金属层覆盖于绝缘介质层上，发射极金属层与第二导电类型层第一区域欧姆接触。本发明具有较低的饱和压降Vcesat和较高的耐冲击性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 低导通 饱和 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有低导通饱和压降的IGBT，在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区域，终端保护区环绕包围有源区；在所述IGBT器件的截面上，所述半导体基板具有两个相对的主面，所述主面包括第一主面和第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；所述有源区内包含并联连接的导电多晶硅；其特征是：在所述IGBT器件的截面上，在有源区对应的第一导电类型漂移区内设置第二导电类型层，所述第二导电类型层通过导电多晶硅及绝缘栅介质层分隔成若干第二导电类型层第一区域及第二导电类型层第二区域，第二导电类型层第一区域与第二导电类型层第二区域在第一导电类型漂移区内相互交替规则排布，并通过导电多晶硅及绝缘栅介质层间隔；在所述IGBT器件的截面上，半导体基板的第一主面上覆盖有绝缘介质层，且所述绝缘介质层覆盖在相应的导电多晶硅上；第二导电类型层第一区域内设置对称分布的第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区与相应的绝缘栅介质层相接触，且第二导电类型层第一区域上方设有发射极接触孔，所述发射极接触孔贯通绝缘介质层并延伸到第一主面上；发射极接触孔内填充有发射极金属层，且所述发射极金属层覆盖于绝缘介质层上，发射极金属层与第二导电类型层第一区域欧姆接触。
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