[发明专利]形成复数个半导体发光装置的方法无效
| 申请号： | 201210058128.4 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102891224A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;卢怡安 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 孟帕里斯&卡尔德,P.O.Box.30*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种形成复数个半导体发光装置的方法，包含：形成磊晶结构于第一暂时基材上，其中磊晶结构具有第一型掺杂层、发光层、第二型掺杂层；分离磊晶结构，使形成复数个磊晶结构；以第一黏着层将第二暂时基材耦接至复数个磊晶结构的上表面，并移除第一暂时基材；以第二黏着层将永久半导体基材耦接至复数个磊晶结构；移除第一黏着层与第二暂时基材；分离永久半导体基材成复数个部分，其中每个该部分具有对应的至少一该复数个磊晶结构，以形成复数个半导体发光装置。该方法可有效消除蓝宝石发光限制的问题，同时亦可增加氮化镓基发光二极管的光萃取效率，并克服发光二极管的结构亦遭遇电极遮蔽问题。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 复数 半导体 发光 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种形成复数个半导体发光装置的方法，包括：在一第一暂时基材上，形成一磊晶结构，其中该磊晶结构具有一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层；分离该磊晶结构，使在该第一暂时基材上形成复数个磊晶结构；藉由一第一黏着层将一第二暂时基材耦接至该复数个磊晶结构的一上表面；移除该第一暂时基材，以暴露出该复数个磊晶结构的一底面；藉由一第二黏着层将一永久半导体基材耦接至该复数个磊晶结构的该底面；移除该第一黏着层与该第二暂时基材；以及分离该永久半导体基材成复数个部分，其中每个该复数个部分包含至少一该复数个磊晶结构，以形成复数个半导体发光装置。
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