[发明专利]用于高性能互连的结构和方法有效
| 申请号： | 201210058714.9 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102881675A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 万幸仁;柯亭竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路结构。该集成电路结构包括：衬底，具有形成在其中的IC器件；第一电介质材料层，被设置在衬底上并具有形成在其中的第一沟槽；以及第一合成互连部件，被设置在第一沟槽中并与IC器件电连接。该第一合成互连部件包括：第一阻挡层，被设置在第一沟槽的侧壁上；第一金属层，被设置在第一阻挡层上；以及第一石墨烯层，被设置在金属层上。本发明还提供了一种用于高性能互连的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 性能 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)结构，包括：衬底，具有形成在其中的IC器件；第一电介质材料层，被设置在所述衬底上并具有形成在其中的第一沟槽；以及第一合成互连部件，被设置在所述第一沟槽中并且与所述IC器件电连接，其中，所述第一合成互连部件包括：第一阻挡层，被设置在所述第一沟槽的侧壁上；第一金属层，被设置在所述第一阻挡层上；以及第一石墨烯层，被设置在所述金属层上。
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