[发明专利]一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物无效
| 申请号： | 201210058742.0 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102586243A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡向军;王丽峰;田大为;王长振;乔思默;邹勇 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军军事医学科学院放射与辐射医学研究所 |
| 主分类号： | C12N15/11 | 分类号： | C12N15/11;C12Q1/68 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100850*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于脑损伤防治技术领域的一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物-NMDA受体SNP。该标志物NR2B基因启动子区-217位C/T单核苷酸多态，能准确预测不同基因型大鼠电磁辐射致脑损伤的可能性，为N-甲基-D-天门冬氨酸受体基因及其相关基因的单核苷酸多态性应用于人类电磁辐射致脑损伤的防治奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预防 电磁辐射 脑损伤 标志 | ||
【主权项】：
一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物，其特征在于，该标志物为N‑甲基‑D‑天门冬氨酸受体单核苷酸多态性。
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