[发明专利]微通道内利用低频间歇性磁场强化微混合的方法

摘要

本发明公开一种微通道内利用低频间歇性磁场强化微混合的方法，该方法在微通道的一侧壁面加工微小的软磁体阵列；在微通道内注入具有相同的初速度和流量的两股流体，即含有超顺磁磁珠的悬浮液和生化样品溶液；在芯片外施加间歇性的均匀磁场，使软磁体在外加均匀磁场的激发下产生新的磁场。由于软磁体阵列中各个磁体产生的磁场的相互叠加以及与外加磁场的叠加，使得微通道内磁珠受到的磁场力沿着微通道轴线方向呈现出正负交替的空间变化，这种空间正负交替变化的磁场力随着外加间歇性磁场而时有时无，从而诱导微通道内的磁珠横向运动和轴向运动的交替出现，磁珠的运动扰乱了微通道内的层流流动，达到强化微混合的目的。

主权项

一种利用低频间歇性磁场强化微混合的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一，采用电镀等微加工工艺，在微通道的一侧集成软磁体阵列，软磁体之间等距布置；步骤二，在微通道内注入两股流体，两股流体具有相同的初速度和流量，一股为含有超顺磁磁珠的悬浮液，位于集成软磁阵列的对侧，一股为生化样品溶液，位于集成软磁体阵列的同侧；步骤三，在芯片外施加间歇性的均匀磁场，该均匀磁场激发软磁体阵列后，软磁体会产生一个高梯度的磁场，两磁场叠加后使得微通道内磁珠受到的磁场力增强，并诱发两股流体的轴向运动和横向运动交替出现，从而达到强化混合的目的。