[发明专利]一种扩展SRAM容量的虚拟存储方法有效

专利信息
申请号: 201210059093.6 申请日: 2012-03-08
公开(公告)号: CN102662858A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 陈诚;朱念好;周玉洁 申请(专利权)人: 上海爱信诺航芯电子科技有限公司
主分类号: G06F12/08 分类号: G06F12/08
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 徐雯琼
地址: 200241 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种扩展SRAM容量的虚拟存储方法,在SRAM上选取交换块,同时在EFlash上选取备份块,SRAM上交换块会分成几个扇区,每个扇区的大小与eflash扇区大小一样,SRAM的扇区作为交换扇区和EFlash的扇区交换数据,从而实现可以任意扩展SRAM空间的目的。本发明在不增加SRAM物理空间的前提下,可以任意地增加SRAM的虚拟空间,减小了芯片的面积,降低了系统的功耗。
搜索关键词: 一种 扩展 sram 容量 虚拟 存储 方法
【主权项】:
一种扩展SRAM容量的虚拟存储方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:步骤1、初始化;步骤2、CPU访问SRAM的虚拟地址SramVaddr;步骤3、判断SRAM的虚拟地址SramVaddr是否小于(M‑m)K,若是,跳转到步骤10,若否,跳转到步骤4;其中,M是SRAM的总容量,m是SRAM的最后mK字节;步骤4、令SRAM交换扇区虚拟基地址序号Sid=0;步骤5、判断SRAM交换扇区Sid的虚拟基地址是否等于SRAM虚拟基地址SramVaddr,若是,则跳转到步骤10,若否,则跳转到步骤7;步骤6、Sid= Sid +1;步骤7、判断Sid是否大于n,若是,跳转到步骤8,若否,跳转到步骤5;步骤8、SRAM控制器产生硬件异常,CPU进入异常处理函数,SRAM与EFlash进行交换数据操作;步骤9、更改最空闲交换扇区的基地址; 步骤10、将SRAM的虚拟地址SramVaddr映射到物理地址SramPaddr;步骤11、CPU执行读写操作;步骤12、CPU结束访问SRAM。
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