[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件的半导体装置中，具备充分功能的电容元件。由同一多晶硅在有源区域上形成电容元件，在元件分离区域上形成电阻元件之后，通过CMP或蚀刻等在使基板表面平坦化的同时削至期望的电阻元件的膜厚。此时，根据有源区域与元件分离区域的高度差异，形成膜厚较薄的电阻元件和膜厚较厚的电容元件的上部电极。由于电容元件的上部电极具有充分的膜厚，因而可防止触点的穿透。

主权项

一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：步骤a，在半导体衬底上形成有源区域和具有高于所述有源区域的表面高度的表面的元件分离区域；步骤b，在沿着所述有源区域上的所述半导体衬底的一个主面形成的第一导电型的阱区域上形成所述晶体管元件的栅氧化膜；步骤c，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅膜；步骤d，对所述第一多晶硅膜进行图案化，由此在所述有源区域形成所述晶体管元件的栅电极和所述电容元件的下部电极；步骤e，向所述栅电极和下部电极导入第二导电型杂质；步骤f，将所述栅电极作为掩模，向所述第一导电型的阱区域表面导入第二导电型杂质，形成所述晶体管元件的源区以及漏区；步骤g，在所述电容元件的下部电极上形成电容绝缘膜；步骤h，在所述半导体衬底上形成第二多晶硅膜；步骤i，对所述第二多晶硅膜进行图案化，由此形成所述电容元件的上部电极和所述电阻元件；步骤j，向所述上部电极导入第二导电型杂质；步骤k，向所述电阻元件导入第一导电型杂质；步骤l，在所述半导体衬底上形成第一层间绝缘膜；步骤m，至少将所述第一层间绝缘膜和所述电阻元件削至所述电阻元件成为期望的膜厚；步骤n，在所述半导体衬底上形成第二层间绝缘膜；以及步骤o，在所述第二层间绝缘膜形成接触孔。