[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210060002.0 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683197A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;佐藤裕平;佐藤惠司;丸山哲纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李渤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，目的在于对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并实现高可靠性。在包括氧化物半导体层的晶体管的制造工序中，在氧化硅膜上形成包括氧含量超过氧化物半导体处于结晶状态时的化学计量组成比的区域的非晶氧化物半导体层，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜，然后进行加热处理来使该非晶氧化物半导体层的至少一部分晶化，从而形成包括具有大致垂直于表面的c轴的结晶的氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化硅膜；在所述氧化硅膜上形成非晶氧化物半导体层；在所述非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜；以及在形成所述氧化铝膜之后，对所述非晶氧化物半导体层进行加热处理，其中，所述非晶氧化物半导体层包括含有与结晶状态的氧化物半导体的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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