[发明专利]功率用半导体装置

摘要

本发明提供一种功率用半导体装置，具备p型集电极层、n型基极层、p型基极层、n型源极层、栅电极、层间绝缘膜、集电极以及发射极。p型基极层的杂质浓度从p型基极层的上端部朝向n型基极层而单调减少。栅电极具有第1部分和第2部分。第1部分隔着栅极绝缘膜的第1部分而与p型基极层的底端部相对。第2部分与栅电极的第1部分的上部连续并隔着栅极绝缘膜的第2部分而与p型基极层的上端部相对。在栅极绝缘膜的第1部分与p型基极层的底端部之间形成粒子数反转层的阈值大于等于在栅极绝缘膜的第2部分与p型基极层的上端部之间形成粒子数反转层的阈值。

主权项

一种功率用半导体装置，其特征在于，具有：p型集电极层；n型基极层，形成在所述p型集电极层上；p型基极层，形成在所述n型基极层上；n型源极层，选择性地形成于所述p型基极层的表面，且具有比所述n型基极层高的n型杂质浓度；在从所述n型源极层的表面贯通所述n型源极层以及所述p型基极层而到达至所述n型基极层中的沟槽内，隔着栅极绝缘膜而形成的栅电极；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上；集电极，电连接到所述p型集电极层的与所述n型源极层相反侧的表面；以及发射极，隔着设置于所述层间绝缘膜的开口部而电连接到所述n型源极层和所述p型接触层，其中，关于所述p型基极层的杂质浓度，在层叠方向上，在与所述源极层邻接的上端部具有最大值，并从所述p型基极层的所述上端部朝向所述n型基极层而减少，所述栅电极具有：第1部分，隔着所述栅极绝缘膜的第1部分而与所述n型基极层及所述p型基极层的底端部相对；以及第2部分，与所述栅电极的所述第1部分的上部连续，并隔着所述栅极绝缘膜的第2部分而与所述p型基极层的所述上端部及所述n型源极层相对，其中，以使在所述栅极绝缘膜的所述第1部分与所述p型基极层的所述底端部之间形成粒子数反转层的阈值大于等于在所述栅极绝缘膜的所述第2部分与所述p型基极层的所述上端部之间形成粒子数反转层的阈值的方式，形成有所述栅电极。