[发明专利]具有盖结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210060346.1 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103107142A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 林文益;林柏尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/36;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：基板、附接至基板的第一管芯和连接到基板的盖子。盖子限定出用于接合第一管芯的腔体，并且盖子包括具有向下延伸到腔体中的端部的管芯密封隔板。管芯密封隔板的端部附接至基板，并且将热界面材料设置在第一管芯和盖子之间，以将第一管芯热连接至盖子。本发明还提供了具有盖结构的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件包括：基板；第一管芯，附接至所述基板；盖子，与所述基板连接，所述盖子限定出用于接合所述第一管芯的腔体，所述盖子包括管芯密封隔板，所述管芯密封隔板具有一个或多个向下延伸到所述腔体的端部，所述管芯密封隔板的端部附接至所述基板；以及热界面材料，位于所述第一管芯和所述盖子之间，所述热界面材料将所述第一管芯热连接至所述盖子。
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