[发明专利]一种具有光栅结构的边发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201210060694.9 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102545052A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔碧峰;计伟;陈京湘;郭伟玲;张松;王晓玲 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 光栅 结构 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，其特征在于：依次包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm‑600nm，从而形成脊形台，在脊形台上腐蚀出具有周期性的光栅结构。
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