[发明专利]阻变存储装置、布局结构及其感测电路有效
| 申请号： | 201210061018.3 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103050148B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 卢光明 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储装置、布局结构及其感测电路。所述阻变存储装置包括多个存储区，每个存储区包括耦接至多个字线的主存储器单元阵列、以及耦接至多个参考字线的参考存储器单元阵列。所述存储区中每个都与相邻的存储区共享位线驱动器/吸收器。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 布局 结构 及其 电路 | ||
【主权项】：
一种阻变存储装置，包括：第一存储区，所述第一存储区包括耦接在多个第一源极线和位线与多个第一字线之间的第一主存储器单元阵列、以及耦接在所述多个第一源极线和位线与多个第一参考字线之间的第一参考存储器单元阵列；第二存储区，所述第二存储区包括耦接在多个第二源极线和位线与多个第二字线之间的第二主存储器单元阵列、以及耦接在所述多个第二源极线和位线与多个第二参考字线之间的第二参考存储器单元阵列；行地址译码器，所述行地址译码器被配置为响应于外部地址来驱动字线或参考字线；列地址译码器，所述列地址译码器被配置为响应于外部地址来驱动位线和源极线；以及位线驱动器/吸收器，所述位线驱动器/吸收器共同地耦接至所述第一存储区和所述第二存储区，且被配置为将预定电压施加至由所述列地址译码器驱动的位线，其中，所述第一存储区包括：第一列选择器，所述第一列选择器被配置为响应于所述列地址译码器的输出信号来驱动第一位线；第二列选择器，所述第二列选择器被配置为响应于所述列地址译码器的输出信号来驱动第一源极线；以及源极线驱动器/吸收器，所述源极线驱动器/吸收器被配置为将预定电压施加至由所述第二列选择器驱动的源极线。
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