[发明专利]一种基于聚对羟基苯乙烯的单组分化学增幅光致抗蚀剂材料、其合成方法及其用途无效
| 申请号： | 201210061066.2 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102718902A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王力元;刘娟 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C08F12/24 | 分类号： | C08F12/24;C08F8/14;C08F8/42;C08F8/34;G03F7/039;G03F7/075 |
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| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的基于聚对羟基苯乙烯(PHS)的化学增幅型单组份光致抗蚀剂材料及其合成方法，此聚对羟基苯乙烯的衍生物的部分苯环上含有光照产酸基团，部分酚羟基被可酸分解保护基保护起来。曝光时产酸基团产生强酸，在后烘条件下催化保护基团分解，释放出酚羟基，导致曝光部分碱溶性变大，可由稀碱水显影成像。因此可用作一种新颖的化学增幅型单组分抗蚀剂材料，可用于深紫外光刻、电子束光刻及其它下一代超大规模集成电路加工技术如极紫外光刻、X射线光刻等使用的化学增幅抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 羟基 苯乙烯 组分 化学 增幅 光致抗蚀剂 材料 合成 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种如下通式(I)所示的苯环上部分含有产酸基团，部分羟基被保护的聚对羟基苯乙烯(PHS)：![]()
其中n为聚对羟基苯乙烯的聚合度，R1部分为H，部分为硫鎓盐光产酸基团，具有如下结构：![]()
R3为C1-C7的烷基；配伍阴离子A-可以是各种磺酸根，如：苯磺酸根、对甲苯磺酸根、1-萘磺酸根、2-萘磺酸根、全氟苯磺酸根、三氟甲磺酸根、九氟丁基磺酸根、全氟辛基磺酸根；R2部分为H，部分为可酸解的保护基，可酸解的保护基为如下的叔丁氧羰基或者三甲基硅基：![]()
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