[发明专利]射频功率的检测方法有效
| 申请号： | 201210061074.7 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102608411B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 田守卫;孙洪福;费孝爱;林爱兰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R21/02 | 分类号： | G01R21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频功率的检测方法，包括以下步骤建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取热氧化厚度与射频功率的关系；测取裸片表面氧化层的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工艺菜单下通入氧气；裸片热氧化后，测取裸片表面氧化层的第二厚度T2；求取第二厚度T2与第一厚度T1的差值得到热氧化厚度T3；根据热氧化厚度T3对照所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系，求取射频功率PRF。本发明采用特定工艺条件下热氧化厚度与射频功率的关系，通过获取热氧化厚度后推导出射频功率，方法简单，不需要停机，检测结果较精确。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 功率 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种射频功率的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，所述氧气流量为10‑100sccm，腔室气压为1‑10mtorr；射频功率开启时间为30‑60s；在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系；测取裸片表面氧化层的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工艺菜单下通入氧气；裸片热氧化后，测取裸片表面氧化层的第二厚度T2；求取第二厚度T2与第一厚度T1的差值得到热氧化厚度T3；根据热氧化厚度T3对照所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系，求取射频功率PRF。
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